حافظه ترابرد یا فلش مموری (Flash memory)، حافظه غیرفرار ذخیره‌ سازی رایانه‌ ای است که می‌ توان آن را به صورت الکتریکی پاک و دوباره برنامه‌ریزی کرد. این فناوری عمدتا در رسانه های جدا شدنی مانند یو اس بی فلش درایو، کارت های حافظه و درایو حالت جامد استفاده می‌شود و برای ذخیره‌ سازی عمومی و انتقال داده ها بین رایانه ها و دیگر محصولات دیجیتال به کار می‌ رود.

این نوع خاصی از ئی ئیپ رام (حافظهٔ فقط خواندنی پاک‌ شدنی و قابل برنامه‌ ریزی به صورت الکتریکی) است که در قطعات بزرگ، پاک و برنامه‌ ریزی شده‌ است. از آنجا که حافظهٔ فلش غیر فرار است، هیچ نیرویی برای نگه داشتن اطلاعات درون قطعه مورد نیاز نیست.

علاوه بر این، این حافظه به ارائه گذاشتن سریع اطلاعات در هر دسترسی (اگر چه به اندازه حافظه فرار پویا با دسترسی تصادفی (دی‌ رم)، که برای حافظه اصلی در رایانه‌ ها به کار می‌ رود سریع نیست) ولی مقاوم‌ تر از دیسک سخت در برابر شوک حرکتی می‌ باشد.

دو نوع حافظه فلش وجود دارد که برحسب منطق‌ های نَند، نُر نام‌ گذاری شده‌ اند سلول‌ های مستقل حافظه فلش مشخصات درونی مشابهی با دروازه مربوط را نشان می‌دهند. در حالی که ئی پی رام ها باید قبل از نوشته شدن بطور کامل پاک شوند.

فلش‌ های نوع نند می‌ توانند همزمان در بلوک‌ هایی که معمولا از کل دستگاه کوچکترند خوانده و نوشته شوند.

فلش‌های نُر به یک کلمهٔ ماشینی تنها (بایت) اجازه می‌دهند بر روی یک محل پاک شده بدون وابستگی نوشته یا خواند شوند.

نوع نَند به صورت عمده در کارت‌ های حفظ فلش‌ های یو اس‌ بی و درایوهای حالت جامد و محصولات مشابه برای ذخیره معمولی و انتقال داده استفاده می‌ شود. فلش‌ های نَند، نُر معمولا برای ذخیره پیکر بندی داده‌ها در بسیاری از محصولات دیجیتالی استفاده می‌ شوند مسئولیتی که در گذشته به وسیله ئی پی رام ها یا حافظه استاتیک باتری دار ممکن می‌ شد.

یکی از معایب حافظهٔ فلش تعداد محدود چرخه‌ های خواندن یا نوشتن در یک بلوک خاص است. فلش‌ های نُر و نَند نام خود را از روابط داخلی بین سلول‌ های حافظه‌ شان می‌گیرند. مشابه دروازه نند، در فلش‌ های نند هم دروازه‌ ها در سری‌ هایی به هم متصل هستند. در یک دروازه نُر ترانزیستورها بطور موازی به هم متصل هستند و مانند آن در فلش نُر سلول‌ ها بطور موازی به خطوط بیت متصل هستند و به همین دلیل است که سلول‌ ها می‌ توانند جداگانه و مستقل، خوانده و برنامه نویسی شوند.

در مقایسه با فلش‌ های نُر جایگزین کردن یک ترانزیستور با گروه‌ های سری لینک شده یک سطح آدرس دهی اضافی به آنها می‌ افزاید. در حالی که فلش‌ های نُر می‌ توانند حافظه را با صفحه و سپس کلمه آدرس دهی کنند. فلش‌ های نَند می‌ توانند آن را با صفحه، کلمه و بیت آدرس دهی کنند.

فلش مموری یک وسیله کوچک است اما به طرز شگفت‌ انگیزی بسیار قدرتمند می‌ باشد. توانایی فلش‌ های USB از طریق یک فرآیند ذخیره‌ سازی الکترونیکی به نام حافظه فلش عمل می‌کند که طبق آن، داده‌ها به صورت بسته‌ هایی ذخیره می‌ شوند و اطلاعات را به صورت بایت بازنویسی می‌ کند.

فلش مموری از بخش‌ های مختلفی تشکیل شده است که همه آنها در نهایت بر روی عملکرد فلش تأثیر می‌ گذارند. مهم‌ ترین قسمت‌ های فلش‌ های USB، عبارت‌ اند از صفحه مدار چاپی (PCB) که در قسمت زیرین محفظه ساخته شده از پلاستیک یا آلومینیوم قرار می‌ گیرد و تراشه حافظه که به عنوان مغز اصلی فلش عمل می‌ کند و تمامی داده‌ ها در آن ذخیره می‌ شود. زمانی که فلش مموری را به یک درگاه مناسب متصل کنید، سیستم عامل می‌ تواند اتصال را تشخیص دهد و عمل انتقال اطلاعات صورت گیرد.

برای ذخیره سای اطلاعات، فلش مموری از منبع الکتریکی سیگنالی استفاده می‌ کند که به عنوان یک ترانزیستور نیمه هادی شناخته می‌ شود. این بخش شامل قسمت‌ های زیر می‌ باشد:

 منبع

منبع، کانالی بین صفحه مدار و وسیله‌ ای است که فلش usb به آن متصل می‌ شود. اطلاعات از طریق این کانال به شیوه بار الکتریکی منتقل می‌ شود و سپس از طریق گیت-شناور هل داده می‌ شود.

 گیت-شناور

گیت-شناور قسمتی است که تمامی اطلاعات در آن جمع‌ آوری می‌ شود.

   گیت-کنترل

گیت-کنترل از بازگشت اطلاعات به منبع جلوگیری می‌ کند.

  تخلیه

هرگونه انرژی اضافی باید تخلیه شود که انرژی را از طریق سایر وسایل متصل هل می‌ دهد تا انرژی لازم را برای انتقالات بعدی داشته باشد.

توضیحات گفته شده ممکن است کمی گیج‌کننده  باشد، اما این ساده‌ ترین توضیح درباره این نوع انتقال اطلاعات است. بدین ترتیب، اطلاعات درون فلش مموری ذخیره می‌ شود و هر زمانی که نیاز داشته باشید می‌ توانید به آنها دسترسی پیدا کنید.